[发明专利]铜柱凸点结构及成型方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构及方法，尤其是一种铜柱凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述铜柱凸点结构，包括基底及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层覆盖在绝缘层上，并覆盖在金属焊盘的外圈边缘；金属焊盘的正上方设有铜柱，所述铜柱的底部通过种子层与金属焊盘及介质层接触，且种子层覆盖铜柱的外侧壁；在铜柱的顶端设有焊料凸点。本发明采用在光刻胶上形成种子层的方法，避免了侧向钻蚀的现象，并且铜柱侧壁表面具有种子层，对铜柱形成保护作用，提高了微凸点加工制造的可靠性和良品率。

主权项

一种铜柱凸点结构的成型方法，其特征是，所述铜柱凸点成型方法包括如下步骤：（a）、提供具有绝缘层（2）的基底（1），并在所述基底（1）的绝缘层（2）上设置所需的金属焊盘（3）；（b）、在上述绝缘层（2）上设置介质层（4），所述介质层（4）覆盖在绝缘层（2）及金属焊盘（3）上；选择性地掩蔽和刻蚀所述介质层（4），以在金属焊盘（3）的正上方形成第一窗口（10），通过第一窗口（10）裸露金属焊盘（3）；（c）、在上述介质层（4）上涂布光刻胶层（5），并对所述光刻胶层（5）图形化，以在所述金属焊盘（3）的正上方形成第二窗口（11），所述第二窗口（11）与第一窗口（10）相连通；（d）、在上述光刻胶层（5）上设置种子层（6），所述种子层（6）覆盖在光刻胶层（5）、介质层（4）及金属焊盘（3）上；（e）、在上述种子层（6）上设置干膜层（7），并对所述干膜层（7）图形化，以在所述金属焊盘（3）的正上方形成第三窗口（12），所述第三窗口（11）与第二窗口（12）相连通；（f）、利用上述窗口在金属焊盘（3）的正上方电镀铜柱（8），所述铜柱（8）的底部通过种子层（6）与金属焊盘（3）及介质层（4）相接触，铜柱（8）的侧壁通过种子层（6）与光刻胶层（5）相接触；（g）、在上述铜柱（8）上设置焊料凸点（9），所述焊料凸点（9）支撑在铜柱（8）上，焊料凸点（9）的侧壁与干膜层（7）相接触；（h）、去除上述干膜层（7）；（i）、去除上述光刻胶层（5）上的种子层（6），以使得光刻胶层（5）的顶端裸露；（j）、去除上述介质层（4）上的光刻胶层（5），得到外壁包裹有种子层（6）的铜柱（8）；（k）、对焊料凸点（9）进行回流。