[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410135858.9 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104979289B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赵杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L27/092;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，根据本发明的方法提出了一种在PMOS区域中形成新的多‑P型功函数金属层薄膜堆叠结构，以阻止PMOS区域中的铝的扩散，以使形成的半导体器件结构与传统工艺形成的半导体器件结构相比具有良好的间隙填充边缘和较低金属栅极电阻，以提高半导体器件的整体性能，提高半导体器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括虚拟栅极，所述第二区域包括虚拟栅极；去除所述第一区域中的虚拟栅极和所述第二区域中的虚拟栅极，以在所述第一区域中形成第一沟槽，在所述第二区域中形成第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部及侧壁上依次沉积形成高K介电层、覆盖层、阻挡层、第一P型功函数金属层和第二P型功函数金属层，其中所述第二P型功函数金属层中含有硅；采用光刻工艺去除所述第二沟槽中的所述第一P型功函数金属层和所述第二P型功函数金属层，以露出所述阻挡层；氧化处理所述第一沟槽中的所述第二P型功函数金属层；在所述第一区域中的所述第二P型功函数金属层和所述第二区域中的所述阻挡层上依次形成N型功函数金属层和金属栅极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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