[发明专利]基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法

摘要

基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大，双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术，制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构，能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响，显著增强双极器件的抗辐照能力，同比增强了2-5倍。本发明适用于电子技术领域。

主权项

基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法，其特征在于：该方法的具体步骤为：步骤一：采用TCAD软件模拟双极型器件圆形发射区梳状结构的工艺参数，并根据模拟的工艺参数采用传统工艺制备圆形发射区梳状结构的双极型器件；所述工艺参数为圆形发射区梳状结构的面积和周长；步骤二：采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量、入射深度和注量信息；步骤三：采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；步骤四：根据步骤三获得的离子注入量，对离子注入机进行参数设置，在双极型器件发射区的边缘位置进行离子注入，形成横截面为梯形的发射区；步骤五：对完成离子注入后的双极型器件进行退火处理，退火处理后完成基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固。