[发明专利]一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法

摘要

一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，该参数包括反向偏压V_R、脉冲电压V_P、测试周期T_W、脉冲宽度T_P及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。应用在缺陷检测领域。

主权项

一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，其特征在于，该方法的具体过程为：第一步，针对双极型器件进行电离辐射试验，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪的低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪的低温测试台紧密连接，并将双极型器件的基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；第二步，设置测试参数，该参数包括反向偏压V_R、脉冲电压V_P、测试周期T_W、脉冲宽度T_P及温度扫描范围，并保证反向偏压V_R为‑20V到+20V、脉冲电压V_P为‑3V到+3V、测试周期T_W为2ms到200s、脉冲宽度T_P为2ms到2s、温度扫描范围为50K到350K，获得氧化物电荷的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰半高宽；第三步，根据第二步获得的氧化物电荷的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。