[发明专利]基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法

摘要

基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。

主权项

基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，其特征在于：该方法的具体步骤为：步骤一：首先选用待实验的双极型器件采用低剂量率进行辐照，低剂量率为0.001rad/s‑0.1rad/s，辐照温度为‑200℃～+50℃，当低剂量率辐照的剂量累计到低剂量率辐照总剂量的1/10至1/5时停止辐照，并记录该器件的性能变化曲线；步骤二：另选择待实验的同一类型的双极型器件，先采用高剂量率辐照，所述高剂量率为1rad/s～1000rad/s，辐照温度为0℃～100℃之间；当高剂量辐照所产生的性能变化达到步骤一所述的性能变化的50%‑80%，转换到低剂量率对双极型器件继续进行辐照；剂量率、辐照剂量和辐照温度与步骤一所述相同；步骤三：重复步骤二多次，直至器件在低剂量率辐照条件下的剂量累积到试验所要求的低剂量率辐照总剂量；高剂量率辐照转换为低剂量率辐照的转换节点为器件性能变化达到上一次低剂量率辐照的性能变化的50%～80%；每次低剂量率辐照剂量大于或等于1×10⁴rad，低剂量率的辐照总剂量为1×10⁵rad～1×10⁶rad；每次高剂量率辐照剂量大于或等于1×10⁵rad，高剂量率的辐照总剂量为1×10⁶rad～1×10⁷rad；试验完毕后，记录辐照过程中器件敏感性能参数的变化，确定双极型器件辐照损伤退化程度。