[发明专利]一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法有效
| 申请号： | 201410136054.0 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103887171B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;刘超铭;杨剑群;肖景东;何世禹 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人： | 张宏威 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中，由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响，导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入；步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 第二 钝化 方式 器件 辐照 加固 方法 | ||
【主权项】：
一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，其特征在于，它包括以下步骤：步骤一、制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入；所述步骤三中对第二钝化层进行离子注入时，注入的离子为氟离子、氯离子、溴离子、碘离子或砷离子；步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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