[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201410136462.6 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN104103555B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 田中启一;吉原孝介;井关智弘 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能够在对显影后的基板进行清洗时抑制形成抗蚀剂图案的壁部的倒塌和上述图案的线宽度的变化的技术。进行以下工序为了形成抗蚀剂图案而向曝光后的基板的表面供给显影液的显影工序;接着,向上述基板的该表面供给清洗液、从基板除去由于上述显影而产生的残渣的清洗工序;接着,向上述基板的表面供给置换液、利用上述置换液置换上述基板上的清洗液的置换工序,其中,该置换液的表面张力为50mN/m以下,含有浸透抑制剂,以抑制对构成上述抗蚀剂图案的抗蚀剂的壁部的浸透;和接着,使上述基板旋转并且向基板的中心部供给气体而形成干燥区域,利用离心力使上述干燥区域扩展至基板的周缘部,由此使基板的表面干燥的干燥工序。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,其特征在于,包括:为了形成抗蚀剂图案而向曝光后的基板的表面供给显影液的显影工序;接着,向所述基板的该表面供给清洗液,从基板除去因所述显影而产生的残渣的清洗工序;接着,向所述基板的表面供给置换液,利用所述置换液置换所述基板上的清洗液的置换工序,其中,该置换液的表面张力为50mN/m以下,该置换液含有碱性的氮化合物作为浸透抑制剂,以抑制对构成所述抗蚀剂图案的抗蚀剂的壁部的浸透;和接着,使所述基板旋转并且对基板的中心部供给气体而形成干燥区域,利用离心力使所述干燥区域扩展至基板的周缘部,由此使基板的表面干燥的干燥工序,所述干燥工序包括:当向基板的中心部供给气体时使基板以第一转速旋转的工序;和接着,至所述干燥区域达到基板的周缘部为止使基板以比第一转速低的第二转速旋转的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造