[发明专利]CMOS器件结构及其制作方法

摘要

一种CMOS器件结构及其制作方法，包括：提供衬底；形成伪栅以及与伪栅齐平的介质层；形成开口；在开口中覆盖PMOS功函数层并形成金属栅极结构；对金属栅极结构进行热处理，使处理后的PMOS功函数层的功函数位于第一功函数与第二功函数之间。本发明具有以下优点：有利于方便CMOS器件的后续制造步骤中对PMOS区域以及NMOS区域中分别将要形成的PMOS器件以及NMOS器件的功函数进行进一步调整，进而比较灵活的对后续将形成的PMOS器件以及NMOS器件进行功函数的调整；在一定程度上简化了流程并节省了空间体积；不会增加其它的制造工序，例如前期的源漏区掺杂等步骤的难度和复杂程度。

主权项

1.一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括PMOS区域以及NMOS区域，所述PMOS区域用于形成具有第一功函数的PMOS，所述NMOS区域用于形成具有第二功函数的NMOS；在PMOS区域以及NMOS区域的衬底上形成多个伪栅以及与所述伪栅齐平的介质层；去除所述多个伪栅，在所述PMOS区域以及NMOS区域的介质层中形成开口；在所述PMOS区域以及NMOS区域的开口中覆盖PMOS功函数层；在覆盖有所述PMOS功函数层的PMOS区域以及NMOS区域所述开口中形成金属栅极结构；对所述金属栅极结构进行热处理，且进行热处理前不去除NMOS区域的部分PMOS功函数层，使所述金属栅极结构的金属扩散至所述PMOS功函数层，以减小PMOS功函数层的功函数，使PMOS区域以及NMOS区域处理后的PMOS功函数层的功函数位于所述第一功函数与所述第二功函数之间。