[发明专利]隧道场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种隧道场效应晶体管及其制作方法，包括：衬底；P型硅烯层和N型硅烯层，P型硅烯层与N型硅烯层形成叠层结构；位于叠层结构上的栅极结构；分别位于栅极结构两侧的P型硅烯层、N型硅烯层上的电极，用于与P型硅烯层、N型硅烯层构成源极或漏极。本发明还提供一种隧道场效应晶体管的制作方法，包括：提供衬底；形成P型硅烯层和N型硅烯层，使P型硅烯层与N型硅烯层在两者交界处相互交叠且接触形成叠层结构；在叠层结构上形成栅极结构；分别在栅极结构两侧的P型硅烯层、N型硅烯层上形成电极，用于与P型硅烯层、N型硅烯层构成源极或者漏极。本发明隧道场效应晶体管具有更大的隧穿面积，性能也得到了一定程度的提升。

主权项

1.一种隧道场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成绝缘层；在所述绝缘层的表面上形成P型硅烯层和N型硅烯层，使所述P型硅烯层与N型硅烯层在两者交界处相互交叠且接触形成叠层结构，形成所述P型硅烯层或N型硅烯层的过程包括：先在银基板上生长形成所述N型硅烯层或者所述P型硅烯层，然后将形成的N型硅烯层或者所述P型硅烯层从银基板上剥离，然后将剥离的N型硅烯层或者所述P型硅烯层定位并放置于所述绝缘层；通过热处理的方式进一步将所述N型硅烯层或者所述P型硅烯层固定在绝缘层上；在所述叠层结构上形成栅极结构；分别在所述栅极结构两侧的P型硅烯层、N型硅烯层上形成电极，用于与所述P型硅烯层、N型硅烯层构成源极或者漏极。