[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201410136784.0 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104103676B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 楢崎敦司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种半导体元件，其能够解决电场及电流在PN结的局部处集中的问题。该半导体元件具有第1导电型的半导体衬底；第2导电型的激活区域，其形成在该半导体衬底的上表面侧；第2导电型的内侧VLD区域，其按照俯视观察时与该激活区域接触的方式，形成在该半导体衬底的上表面侧；以及第2导电型的阱区域，其按照俯视观察时和该内侧VLD区域的与该激活区域接触的部分的相反侧部分接触的方式，形成在该半导体衬底的上表面侧。该阱区域形成得比该激活区域深，该内侧VLD区域构成为，在与该激活区域接触的部分，深度与该激活区域相同，从该激活区域朝向该阱区域深度逐渐增大，在与该阱区域接触的部分成为与该阱区域相同的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，具有：第1导电型的半导体衬底；第2导电型的激活区域，其形成在所述半导体衬底的上表面侧；第2导电型的内侧VLD区域，其按照俯视观察时与所述激活区域接触的方式，形成在所述半导体衬底的上表面侧，其中，VLD是指横向变掺杂；以及第2导电型的阱区域，其按照俯视观察时和所述内侧VLD区域的与所述激活区域接触的部分的相反侧部分接触的方式，形成在所述半导体衬底的上表面侧，所述阱区域形成得比所述激活区域深，所述内侧VLD区域构成为，在与所述激活区域接触的部分，深度与所述激活区域相同，从所述激活区域朝向所述阱区域深度逐渐增大，在与所述阱区域接触的部分，成为与所述阱区域相同的深度。
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