[发明专利]微波辐射退火的系统和方法有效
申请号: | 201410136921.0 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN104795322B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 蔡俊雄;方子韦;王昭雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了使用微波辐射使半导体结构退火的系统和方法。提供了半导体结构。提供了能够增强半导体结构对微波辐射的吸收的一种或多种能量转换材料。将微波辐射应用于能量转换材料和半导体结构以使用于制造半导体器件的半导体结构退火。检测与半导体结构的一个或多个第一区相关联的第一局部温度。至少部分地基于检测到的第一局部温度来调整应用于能量转换材料和半导体结构的微波辐射。 | ||
搜索关键词: | 微波 辐射 退火 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种使用微波辐射使半导体结构退火的方法,所述方法包括:提供半导体结构;提供能够增强所述半导体结构对微波辐射的吸收的一种或多种能量转换材料;将所述微波辐射施加于所述能量转换材料和所述半导体结构,以使制造半导体器件的所述半导体结构退火;检测与所述半导体结构的一个或多个第一区相关联的第一局部温度;以及至少部分地基于检测到的所述第一局部温度来调整施加于所述能量转换材料和所述半导体结构的所述微波辐射,其中,响应于所述微波辐射,所述能量转换材料能够增强与所述半导体结构相关联的电场密度,从而增强所述半导体结构对所述微波辐射的吸收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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