[发明专利]锗硅外延生长方法在审
| 申请号： | 201410138306.3 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103928319A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 曹威;江润峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种锗硅外延生长方法，所述锗硅外延生长方法包括：清洗单晶硅衬底；对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀；在所述单晶硅衬底表面生长锗硅外延层。在本发明提供的锗硅外延生长方法中，通过对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀，便可去除自然生长的氧化层，从而避免了所形成的锗硅外延层中产生层错、位错、滑移线等晶格缺陷，进而可提高器件/产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅外延生长方法，其特征在于，包括：清洗单晶硅衬底；对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀；在所述单晶硅衬底表面生长锗硅外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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