[发明专利]一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法有效
申请号: | 201410139064.X | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN104979425B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 张伟;刘东方;王聪;刘洪超;陈小源;杨辉;鲁林峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海高等研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法,包括步骤1)于具有周期性排列的硅棒的硅衬底表面形成阻挡层;2)于具有阻挡层表面形成硬掩膜;3)于所述硬掩膜表面旋涂PMMA及光刻胶;4)采用刻蚀工艺去除各所述硅棒顶部的硬掩膜;5)于所述硬掩膜表面及各所述硅棒顶部旋涂光刻胶,并采用湿法刻蚀工艺去除各所述硅棒顶部的阻挡层;6)去除各所述硅棒侧壁的硬掩膜,获得籽晶阵列。本发明的籽晶阵列具有较高的质量,且可重复使用的寿命较长,制备方法简单,适用于工业生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 转移 薄膜 生长 籽晶 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法,其特征在于,包括步骤:1)提供一表面具有周期性排列的硅棒的硅衬底,于各所述硅棒顶部和侧壁、及所述硅衬底表面形成阻挡层;2)于具有阻挡层的硅棒及硅衬底表面形成硬掩膜;3)于所述硬掩膜表面旋涂PMMA及光刻胶,并除去各所述硅棒顶部的光刻胶和PMMA,以露出各所述硅棒顶部的硬掩膜;4)采用刻蚀工艺去除各所述硅棒顶部的硬掩膜,并去除残留的光刻胶及PMMA;5)于所述硬掩膜表面及各所述硅棒顶部旋涂光刻胶,除去各所述硅棒顶部的光刻胶,以暴露所述硅棒顶端的阻挡层,并采用湿法刻蚀工艺去除各所述硅棒顶部的阻挡层;6)去除残留的光刻胶,并去除各所述硅棒侧壁的硬掩膜,获得籽晶阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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