[发明专利]一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410139064.X 申请日: 2014-04-09
公开(公告)号: CN104979425B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 张伟;刘东方;王聪;刘洪超;陈小源;杨辉;鲁林峰 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 李仪萍
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法,包括步骤1)于具有周期性排列的硅棒的硅衬底表面形成阻挡层;2)于具有阻挡层表面形成硬掩膜;3)于所述硬掩膜表面旋涂PMMA及光刻胶;4)采用刻蚀工艺去除各所述硅棒顶部的硬掩膜;5)于所述硬掩膜表面及各所述硅棒顶部旋涂光刻胶,并采用湿法刻蚀工艺去除各所述硅棒顶部的阻挡层;6)去除各所述硅棒侧壁的硬掩膜,获得籽晶阵列。本发明的籽晶阵列具有较高的质量,且可重复使用的寿命较长,制备方法简单,适用于工业生产。
搜索关键词: 一种 应用于 转移 薄膜 生长 籽晶 阵列 制备 方法
【主权项】:
一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法,其特征在于,包括步骤:1)提供一表面具有周期性排列的硅棒的硅衬底,于各所述硅棒顶部和侧壁、及所述硅衬底表面形成阻挡层;2)于具有阻挡层的硅棒及硅衬底表面形成硬掩膜;3)于所述硬掩膜表面旋涂PMMA及光刻胶,并除去各所述硅棒顶部的光刻胶和PMMA,以露出各所述硅棒顶部的硬掩膜;4)采用刻蚀工艺去除各所述硅棒顶部的硬掩膜,并去除残留的光刻胶及PMMA;5)于所述硬掩膜表面及各所述硅棒顶部旋涂光刻胶,除去各所述硅棒顶部的光刻胶,以暴露所述硅棒顶端的阻挡层,并采用湿法刻蚀工艺去除各所述硅棒顶部的阻挡层;6)去除残留的光刻胶,并去除各所述硅棒侧壁的硬掩膜,获得籽晶阵列。
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