[发明专利]制造半导体设备的方法和基材处理装置有效
| 申请号： | 201410139097.4 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104425313B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 野田孝晓;岛本聪;野原慎吾;广濑义朗;前田喜世彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈文平,徐志明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造半导体设备的方法，包括通过执行预定次数的循环，在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜或含有硅、氧、碳和氮的薄膜，所述循环包括将作为硅源和碳源的前体气体或作为硅源而非碳源的前体气体和第一催化气体供应给所述基材；将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材；以及将含有选自碳和氮中至少一种的改性气体供应给所述基材。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体设备 方法 基材 处理 装置 | ||
【主权项】：
制造半导体设备的方法，包括：通过执行两次或更多次的循环，在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜或含有硅、氧、碳和氮的薄膜，所述循环包括：通过执行预定次数的系列，形成含有硅、氧和碳的第一膜或含有硅和氧的第一膜，所述系列包括：将作为硅源和碳源的前体气体或作为硅源而非碳源的前体气体、和第一催化气体供应给所述基材；将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材；以及通过将含有选自碳和氮中至少一种的改性气体供应给所述基材，将所述第一膜改性为进一步含有碳的第二膜、进一步含有氮的第二膜或进一步含有碳和氮的第二膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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