[发明专利]半导体设备制造方法和基材处理装置有效
| 申请号： | 201410139117.8 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104183480B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 岛本聪;广濑义朗;佐野敦;镰仓司;野田孝晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈文平,徐志明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体设备制造方法，其包括通过执行预定次数的循环来在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜。所述循环包括向基材供给含硅、碳和卤族元素并具有Si‑C键的前体气体及第一催化气体；向基材供给氧化气体和第二催化气体；和向基材供给含指定的第III族或第V族元素的改性气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 制造 方法 基材 处理 装置 | ||
【主权项】：
半导体设备制造方法，所述方法包括：通过执行预定次数的循环来在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜，所述循环包含：向所述基材供给含硅、碳和卤族元素并具有Si‑C键的前体气体及第一催化气体；向所述基材供给氧化气体和第二催化气体；和向所述基材供给含所述指定的第III族或第V族元素的改性气体，其中所述改性气体包含选自含硼气体和含铟气体中的至少一种或选自含磷气体和含砷气体中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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