[发明专利]ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法有效
申请号: | 201410140362.0 | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN103938175A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 刁东风;郑煜东;范雪 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学;深圳大学 |
主分类号: | C23C14/46 | 分类号: | C23C14/46;C23C14/06 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 蔡和平 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法,包括以下步骤:1)将硅基片放入等离子体腔体中,然后将过滤网固定在硅基片的前端,并对等离子体腔体内进行抽真空,再将氩气通入到等离子体腔体内,然后对等离子体腔体施加350~450A的磁线圈电流及100~300W的微波使氩气气体离化,得氩离子;2)对碳靶施加-300V~-200V的负直流偏压,等离子体腔体中的氩离子经加速后轰击碳靶,使碳靶中的碳原子团经过过滤网沉积到硅基片的表面,从而形成碳膜,同时给硅基片与过滤网施加20~100V的正电压,使得碳膜沉积的同时受到通过过滤网处理后的电子照射,得碳膜。本发明制备的碳膜表面光滑、耐磨,并且具有良好的电学性能。 | ||
搜索关键词: | ecr 前置 过滤网 控制 电子 照射 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将硅基片放入等离子体腔体中,然后将过滤网固定在硅基片的前端,并对等离子体腔体内进行抽真空,再将氩气通入到等离子体腔体内,然后对等离子体腔体施加350~450A的磁线圈电流及100~300W的微波使腔体中的初始电子在磁场和微波的耦合作用下产生电子回旋运动,使通入的氩气离化,得到氩等离子体;2)对碳靶施加‑300V~‑200V的负直流偏压,等离子体腔体中的氩离子经加速后轰击碳靶,使碳靶中的碳原子团经过过滤网沉积到硅基片的表面,同时给硅基片与过滤网施加相同的20~100V的正电压,使得碳膜沉积的同时受到通过过滤网处理后的电子照射,得碳膜。
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