[发明专利]具有穿通势垒和泄漏保护区的FIN-FET晶体管有效
| 申请号： | 201410140383.2 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104103688B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 马克·S·勒德;克里斯·鲍恩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成场效应晶体管的方法和一种场效应晶体管器件，所述方法包括：在衬底中形成具有第一导电类型的穿通区；在衬底上形成具有第一导电类型的外延层；对外延层图案化以形成从衬底突出的鳍部；在鳍部上形成伪栅极和栅极侧壁隔垫物，从而在伪栅极的相对的侧部上限定鳍部的初始源极区和初始漏极区；去除鳍部的初始源极区和漏极区；将第二导电类型的掺杂剂原子注入衬底和穿通区的暴露部分中；以及在伪栅极和栅极侧壁隔垫物的相对的侧部上形成具有第二导电类型的源极区和漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿通势垒 泄漏 保护区 fin fet 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种形成场效应晶体管的方法，包括步骤：在衬底中形成穿通区，所述穿通区具有第一导电类型；在所述衬底上形成外延层，所述外延层具有第一导电类型；对所述外延层图案化以形成从所述衬底突出的鳍部；在所述鳍部上形成伪栅极和栅极侧壁隔垫物，所述伪栅极和所述栅极侧壁隔垫物在所述伪栅极和所述栅极侧壁隔垫物的相对的侧部上限定了所述鳍部的初始源极区和初始漏极区；去除所述鳍部的初始源极区和初始漏极区，以在所述伪栅极和所述栅极侧壁隔垫物的相对的侧部上形成源极凹陷区/漏极凹陷区；以及在所述凹陷区中形成源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。
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