[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供有源鳍和包括设置在有源鳍上的第一沟槽的场绝缘膜；通过执行设置在第一沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第一蚀刻而形成第二沟槽；通过执行设置在第二沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第二蚀刻而在场绝缘膜中形成第一区域和第二区域，第一区域邻近有源鳍设置并具有第一厚度，第二区域相比于第一区域与有源鳍间隔开设置并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及在有源鳍和场绝缘膜上形成栅极结构。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供有源鳍和包括在所述有源鳍上的第一沟槽的场绝缘膜；蚀刻所述场绝缘膜的限定所述第一沟槽的侧壁的部分以形成第二沟槽；蚀刻所述第二沟槽的下部，使得所述场绝缘膜的邻近所述有源鳍设置的第一区域具有第一厚度，所述场绝缘膜的相比于所述第一区域与所述有源鳍间隔开的第二区域具有比所述第一厚度厚的第二厚度；以及在所述有源鳍和所述场绝缘膜上形成包括金属栅极的栅极结构，其中所述金属栅极包括设置在所述有源鳍上的金属栅极图案和设置在所述有源鳍的端部处的虚设金属栅极，其中所述金属栅极图案和所述虚设金属栅极彼此间隔开，并且所述金属栅极图案的形状和所述虚设金属栅极的形状彼此不同，其中所述有源鳍的上部在第一方向上的宽度小于或等于所述有源鳍的下部在所述第一方向上的宽度，所述第一方向平行于所述栅极结构的延伸方向，以及其中所述栅极结构直接接触所述有源鳍。