[发明专利]反熔丝单次可编程存储胞及存储器的操作方法

摘要

本发明公开一种反熔丝单次可编程存储胞及存储器的操作方法，单次可编程只读存储胞包括第一反熔丝单元及第二反熔丝单元、选择晶体管以及阱区。第一反熔丝单元与第二反熔丝单元分别包括依序设置于基底上的反熔丝层与反熔丝栅极。选择晶体管，包括选择栅极、栅极介电层、第一掺杂区与第二掺杂区。选择栅极设置于基底上。栅极介电层设置于选择栅极与基底之间。第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于选择栅极两侧的基底中，其中第二掺杂区位于第一反熔丝单元及第二反熔丝单元周围的基底中。阱区设置于第一反熔丝单元及第二反熔丝单元下方的基底中，并连接第二掺杂区。

主权项

一种改善读取特性的反熔丝单次可编程存储胞，包括：第一反熔丝单元及第二反熔丝单元，设置于具有第一导电型的基底上，该第一反熔丝单元包括依序设置于该基底上的第一反熔丝层与第一反熔丝栅极；该第二反熔丝单元包括依序设置于该基底上的一第二反熔丝层与一第二反熔丝栅极；选择晶体管，设置该基底上，包括：选择栅极，设置于该基底上；栅极介电层，设置于该选择栅极与该基底之间；第一掺杂区与一第二掺杂区，具有第二导电型，并分别设置于该选择栅极两侧的该基底中，其中该第二掺杂区位于该第一反熔丝单元及该第二反熔丝单元周围的该基底中；以及阱区，具有该第二导电型，设置于该第一反熔丝单元及该第二反熔丝单元下方的该基底中，并连接该第二掺杂区。