[发明专利]一种半导体感光单元及其半导体感光单元阵列

摘要

本发明涉及一种半导体感光单元及其半导体感光单元阵列，它包括在半导体衬底内设有浮栅晶体管、选通MOS管和感光二极管，其中感光二极管的阳极或阴极通过选通MOS管与浮栅晶体管的浮栅连接，对应的感光二极管的阴极或阳极与浮栅晶体管的漏极连接或与外部电极连接。本发明的半导体感光单元，在选通MOS管开启后，通过感光二极管对浮栅进行充电或放电；在选通MOS管关闭后，电荷被存储在浮栅晶体管的浮栅内。本发明的半导体感光单元具有单元面积小、表面噪声小、浮栅存储电荷时间长以及操作电压动态范围大等优点。

主权项

一种半导体感光单元，它包括在第一导电型的半导体衬底内设有第一导电型第一端和第二导电型第二端的感光二极管，设有第二导电型的第一源极和第一漏极、控制所述第一源极和第一漏极之间的第一电流沟道区开启或关闭的第一导电型的浮栅、以及通过电容耦合作用于所述浮栅上的第一控制栅极的浮栅晶体管，其特征在于所述感光二极管与浮栅晶体管之间还设有选通MOS管，该选通MOS管设有第一导电型的第二源极和第二漏极、以及控制所述第二源极和第二漏极之间的第二电流沟道区开启或关闭的第二控制栅极，该选通MOS管的第二漏极与所述感光二极管的第一端相连接，该选通MOS管的第二源极与所述浮栅晶体管的浮栅相连接。