[发明专利]一种实时测量二极管瞬态温升的方法有效

专利信息
申请号: 201410140784.8 申请日: 2014-04-09
公开(公告)号: CN103954899B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 郭春生;王琳;冯士维;李睿;张燕峰;李世伟 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种实时测量二极管瞬态温升的方法。首先,在不同温度下对被测二极管进行I‑V特性的测量,得到I‑V特性曲线。其中二极管所加的电流为窄脉冲电流,可防止二极管自升温。然后,根据I‑V特性曲线得到不同电流下电压随温度变化的关系曲线,再利用半导体参数分析仪采集二极管在不同电流下电压随时间的变化关系,结合之前得到的不同电流下电压随温度变化的关系曲线,即可得到二极管的瞬态温升。本发明采用无开关测试装置实时测量二极管瞬态温升,与带有开关切换装置的现有测量方法相比,消除了因开关切换延迟引起的温升误差。同时,图示仪产生的窄脉冲电流,脉宽足够小,可有效避免二极管自升温对温升的影响,使测试精度有很大提高。
搜索关键词: 一种 实时 测量 二极管 瞬态 方法
【主权项】:
一种实时测量二极管瞬态温升的方法,包括二极管(1)、温箱(2)、图示仪(3)、二极管夹具(4)、半导体参数分析仪(5);温箱(2)用于对二极管加温;图示仪(3)用于给二极管加电流、电压,显示I‑V特性曲线;半导体参数分析仪(5)用于采集二极管(1)的结电压随时间变化规律;在不同温度下,对器件进行I‑V特性的测量,得到I‑V特性曲线;然后,根据I‑V特性曲线得到不同电流下电压随温度变化的关系曲线,再利用半导体参数分析仪采集器件在不同电流下电压随时间的变化关系,结合之前得到的不同电流下电压随温度变化的关系曲线,即可得到器件的瞬态温升;其特征在于,所述方法还包括以下步骤:步骤一,将二极管(1)通过导线与图示仪(3)的二极管夹具(4)相连,并将二极管(1)放入温箱(2)内,利用温箱(2)给二极管(1)加热;步骤二,设置温箱(2)的初始温度,使二极管(1)的温度稳定在温箱(2)设定的温度,并保持一段时间,然后给二极管(1)加一脉冲电流,利用图示仪(3)测试二极管(1)在此温度下的I‑V特性关系;按一定的步长逐步改变温箱(2)的温度,测出不同温度下二极管(1)的I‑V特性关系;步骤三,将测量数据绘制成不同温度下的I‑V特性曲线;步骤四,利用不同温度下的I‑V特性曲线,提取出电压值,绘制成不同电流下电压随温度变化的关系曲线;步骤五,将二极管(1)通过导线与半导体参数分析仪(5)相连,设置相关参数,测得不同电流下电压随时间的变化关系;步骤六,绘制二极管(1)不同电流下电压随时间变化关系曲线;步骤七,对应电压随温度变化的关系曲线和电压随时间变化曲线的数据,得到二极管(1)的结温随时间的变化规律,即为瞬态温升变化关系;步骤二所述的脉冲电流为窄脉冲电流。
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