[发明专利]一种原位高分辨观察相变材料电致相变过程的透射电镜薄膜窗口有效

专利信息
申请号: 201410140893.X 申请日: 2014-04-10
公开(公告)号: CN103954636B 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: 韩晓东;邵瑞文;郑坤;张韬;王疆靖;张泽 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01N23/04 分类号: G01N23/04;G01N1/28;H01J37/26
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种高分辨观察相变材料电致相变过程的透射电镜薄膜窗口,包括以下步骤:在金属片上通过激光切割或金属刻蚀的方法在掩模板上加工出电极的形状;将掩模板覆盖在SiNx薄膜窗口上,利用镀膜机镀上金属电极;在所得的电极两端使用FIB进行电子束沉积,制备出小间距Pt电极;利用聚焦离子束,对电极之间的SiNx薄膜对Pt电极之间的薄膜进行切割加工桥状结构的样品平台;在已经做好电极的SiNx薄膜窗口上,使用磁控溅射镀上薄膜样品;用导电胶将透射电镜通电样品杆与电极相连进行原位电学实验。本发明解决了相变材料在器件中不能进行原位观察相变过程的问题,并避免了常规FIB制备的样品损伤,降低了样品的制备难度。
搜索关键词: 一种 原位 分辨 观察 相变 材料 过程 透射 薄膜 窗口
【主权项】:
一种高分辨观察相变材料电致相变过程的透射电镜薄膜窗口,其特征是制备方法包括以下步骤:步骤一:用金属片作为掩模板,在掩模板上加工出电极的形状,中空部分通过激光切割或金属刻蚀的方法得到;步骤二:将掩模板覆盖在Si3N4薄膜窗口上,利用镀膜机镀上金属电极,然后将掩模板取下获得两个电极;步骤三:在所得的两个电极之间使用聚焦离子束FIB进行电子束沉积,制备出两个Pt电极;然后利用FIB对两个电极之间的Si3N4薄膜以及对两个Pt电极之间的薄膜进行切割加工桥状结构的样品平台;步骤四:在上述样品平台使用磁控溅射镀上相变材料薄膜样品;用导电胶将透射电镜通电样品杆与电极相连进行原位电学实验,原位观察相变材料薄膜样品的晶化和非晶化过程。
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