[发明专利]半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 201410140919.0 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104103677B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 安达広树;熊仓佳代 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个方式的目的之一是提供一种降低起因于裂缝的不良情况的柔性器件。或者，提供一种量产性优良的柔性器件。本发明的一个方式是一种半导体装置，具有：显示部，在具有挠性的衬底的一个表面上，具有晶体管及显示元件；半导体层，以围绕显示部的周围的方式配置；以及绝缘层，在晶体管及半导体层上。另外，当从垂直于该表面的方向看时，衬底的端部与半导体层的端部大致一致，并且绝缘层的端部位于半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：柔性衬底；在所述柔性衬底上的半导体元件；在所述柔性衬底上且沿着所述柔性衬底的外周部的半导体层；以及在所述半导体元件及所述半导体层上的绝缘层，其中，所述绝缘层包括在所述半导体层上且沿着所述柔性衬底的所述外周部的开口，其中，所述半导体层的第一端部由所述绝缘层覆盖，其中，所述半导体层的第二端部在所述开口中露出，其中，所述柔性衬底的端部与所述半导体层的所述第二端部一致，并且其中，所述半导体层及所述开口围绕所述半导体元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410140919.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
