[发明专利]一种优化光掩模图案制备参数的方法有效
申请号: | 201410141068.1 | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN104977799B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 田明静 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F1/76 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种优化光掩模图案制备参数的方法,包括:提供光掩模,所述光掩模包括主图案区和至少两个测试图案;其中一个测试图案采用的条件参数与主图案区的条件参数相同;通过对比若发现采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性比采用其他条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好,则继续采用原来的条件参数制备下一个光掩模主图案区;若发现采用其他条件参数制备的测试图案中有一测试图案的特征尺寸均匀性相对于采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好,则采用该优化的条件参数制备下一个光掩模主图案区。本发明提供的优化方法可以方便快速的优化出曝光参数,优化周期短,优化操作简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 优化 光掩模 图案 制备 参数 方法 | ||
【主权项】:
1.一种优化光掩模图案制备参数的方法,其特征在于,所述优化光掩模图案制备参数的方法至少包括:提供一光掩模,所述光掩模包括利用设定的条件参数形成的主图案区、及位于所述主图案区边缘外的空白区域中的至少两个测试图案;其中一个测试图案采用的条件参数与主图案区的条件参数相同;测试所述测试图案的特征尺寸均匀性,然后对比与所述主图案区具有相同条件参数的测试图案与采用其他条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性;若发现采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性比采用其他条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好,则继续采用原设定的条件参数制备下一个光掩模主图案区;若发现采用其他条件参数制备的测试图案中有一组条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性相对于采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好,则采用该优化的条件参数制备下一个光掩模主图案区。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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