[发明专利]一种优化光掩模图案制备参数的方法有效

专利信息
申请号: 201410141068.1 申请日: 2014-04-09
公开(公告)号: CN104977799B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 田明静 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/44 分类号: G03F1/44;G03F1/76
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 李仪萍
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种优化光掩模图案制备参数的方法,包括:提供光掩模,所述光掩模包括主图案区和至少两个测试图案;其中一个测试图案采用的条件参数与主图案区的条件参数相同;通过对比若发现采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性比采用其他条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好,则继续采用原来的条件参数制备下一个光掩模主图案区;若发现采用其他条件参数制备的测试图案中有一测试图案的特征尺寸均匀性相对于采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好,则采用该优化的条件参数制备下一个光掩模主图案区。本发明提供的优化方法可以方便快速的优化出曝光参数,优化周期短,优化操作简单。
搜索关键词: 一种 优化 光掩模 图案 制备 参数 方法
【主权项】:
1.一种优化光掩模图案制备参数的方法,其特征在于,所述优化光掩模图案制备参数的方法至少包括:提供一光掩模,所述光掩模包括利用设定的条件参数形成的主图案区、及位于所述主图案区边缘外的空白区域中的至少两个测试图案;其中一个测试图案采用的条件参数与主图案区的条件参数相同;测试所述测试图案的特征尺寸均匀性,然后对比与所述主图案区具有相同条件参数的测试图案与采用其他条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性;若发现采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性比采用其他条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好,则继续采用原设定的条件参数制备下一个光掩模主图案区;若发现采用其他条件参数制备的测试图案中有一组条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性相对于采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好,则采用该优化的条件参数制备下一个光掩模主图案区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410141068.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top