[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410141701.7 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104979181B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;赵超;徐强;陈韬;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;张应 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺填充钨层，具体步骤为：通过交替进行第一反应和第二反应填充钨层，其中，第一反应的反应气体包括含硅反应气体，第二反应的反应气体包括硼烷。本发明通过交替通入含硅气体和硼烷气体进行反应来形成钨层，在保证了钨的填孔性能的同时，避免了硼元素在扩散阻挡层的界面富集以及穿透到之下的栅极介质层和栅极中，提升了后道CMP工艺集成的可靠性，同时也降低了栅极电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层，扩散阻挡层形成步骤包括：将晶片送入CVD反应式，加热至300℃从而对晶片进行预热；通入硅烷气体，淀积形成薄硅层，从而得到扩散阻挡层，薄硅层为单原子的硅层；采用ALD工艺填充钨层，具体步骤为：通过交替进行第一反应和第二反应填充钨层，其中，第一反应的反应气体包括含硅反应气体，第二反应的反应气体包括硼烷，第二反应的沉积速率小于第一反应的沉积速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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