[发明专利]低介电常数硅微粉的制备方法有效
| 申请号： | 201410142663.7 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103950940A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 郭强俊;周雨 | 申请（专利权）人： | 周雨 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 安纪平 |
| 地址： | 213024 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种低介电常数硅微粉的制备方法，其采用最大粒径D100在一定范围内的球形或角形纯二氧化硅或二氧化硅占一定比例的硅质粉体，经过润湿、脱水、烘干及煅烧处理后，通过颗粒的再粉碎和粒度调节后自组装形成新粉体，所述新粉体的最大粒径D100为5～200微米间，新粉体的颗粒由原来粉体颗粒相互支撑或粘结形成，且在支撑或粘结的自组装过程中在颗粒间形成了大量空腔，从而降低了新粉体的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 硅微粉 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将最大粒径D100在0.1～3微米的二氧化硅粉体用水润湿并均化；S2，将所述二氧化硅粉体进行脱水并烘干；S3，将烘干后的二氧化硅粉体在600～1400度的温度条件下煅烧4～26小时；S4，通过粉体颗粒的再粉碎和调节粒度分布，自组装形成最大粒径D100在5～200微米间的新粉体。
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