[发明专利]一种基于偶极子阵列互耦仿真方法有效
申请号: | 201410142728.8 | 申请日: | 2014-04-10 |
公开(公告)号: | CN104077431B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 袁上策;罗超;黄东辉;王杰峰;王友全;何子述;刘芳;李彦波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01Q13/08;H01Q21/00 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 | 代理人: | 刘世平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及阵列信号处理领域中对于阵列前端天线之间的互耦效应的仿真技术,其公开了一种基于偶极子阵列互耦仿真方法,解决传统技术中互耦补偿实现复杂,成本高的问题。该方法包括1、构建阵列模型;2、模拟等幅线性极化的平面波从远场入射;3、计算在各个方位角入射平面波条件下,仿真输出的各阵元端口的电流值和电压值;4、在相同的仿真条件下,重新仿真参考阵元在没有其它阵元影响时端口电压值;5、构建互耦阻抗线性方程组,估计参考阵元对其他阵元的互耦阻抗;6、构建互耦阻抗补偿矩阵,用互耦阻抗补偿矩阵对实际接收到的数据进行补偿。本发明适用于偶极子阵列互耦仿真,利用仿真结果进行互耦补偿。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 偶极子 阵列 仿真 方法 | ||
【主权项】:
一种基于偶极子阵列互耦仿真方法,其特征在于,包括以下步骤:a.根据实际的偶极子阵元参数、布阵形式在仿真工具的仿真环境下构建阵列模型,端口负载为ZL;b.模拟一组等幅线性极化的平面波从远场入射,入射俯仰角为0°,方位角从0°~360°均匀取L个角度,所述L>M‑1,其中M为阵元数;c.在每个方位角入射平面波条件下,用Matlab从仿真输出的*.out文件中提取各阵元端口电流值It,并计算得到端口电压值Vt=ItZL;d.以阵元m为参考,移去其他阵元,在同样一组方位角入射平面波下,重新仿真计算单个阵元m在没有其他阵元影响时,不同方位角下的端口电压值Ute.根据得到的电压和电流值构建互耦阻抗线性方程组,用最小二乘的方法估计参考阵元m对其他阵元的互耦阻抗Zm,0,Zm,1,…Zm,m‑1,Zm,m+1,Zm,M;所述互耦阻抗线性方程组为估计得到的互耦阻抗f.构建互耦阻抗补偿矩阵C,用互耦阻抗补偿矩阵对实际接收到的数据进行补偿U=CV。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410142728.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。