[发明专利]使用牺牲性鳍来制作半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种使用牺牲性鳍来制作半导体器件的方法，包括在半导体层上方形成牺牲性层。选择性地去除牺牲性层的部分以限定在半导体层的第一区域之上的第一组间隔开的牺牲性鳍和在半导体层的第二区域之上的第二组间隔开的牺牲性鳍。在第一与第二区域之间在半导体层中形成隔离沟槽。用电介质材料填充隔离沟槽和在第一和第二组间隔开的牺牲性鳍中的相邻牺牲性鳍之间的空间。去除第一和第二组牺牲性鳍以限定相应的第一和第二组鳍开口。填充第一组鳍开口以限定用于第一传导类型晶体管的第一组半导体鳍，并且填充第二组鳍开口以限定用于第二传导类型晶体管的第二组半导体鳍。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：在半导体层上方形成牺牲性层，所述半导体层包括用于第一传导类型晶体管的第一区域和用于第二传导类型晶体管的与所述第一区域横向相邻的第二区域；选择性地去除所述牺牲性层的部分以限定在所述第一区域之上的第一组间隔开的牺牲性鳍和在所述第二区域之上的第二组间隔开的牺牲性鳍；在所述第一区域与所述第二区域之间在所述半导体层中形成隔离沟槽；用电介质材料填充所述隔离沟槽和在所述第一组间隔开的牺牲性鳍和所述第二组间隔开的牺牲性鳍中的相邻牺牲性鳍之间的空间，并且执行高温退火工艺；去除所述第一组牺牲性鳍和所述第二组牺牲性鳍以限定相应的第一组鳍开口和第二组鳍开口；并且填充所述第一组鳍开口以限定用于所述第一传导类型晶体管的第一组半导体鳍，并且填充所述第二组鳍开口以限定用于所述第二传导类型晶体管的第二组半导体鳍。