[发明专利]图案化晶圆缺点检测系统及其方法有效
申请号: | 201410143477.5 | 申请日: | 2008-08-04 |
公开(公告)号: | CN103972124B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 阿曼努拉·阿杰亚拉里;京林;春林·卢克·曾 | 申请(专利权)人: | 联达科技设备私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 新加坡25加冷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一个检测半导体装置的系统。该系统包括了一个区域系统,从一个半导体晶圆选取多个区域。一个金模板系统,为每一个区域生成一个区域金模板,以使得一个晶片图象可以和多个区域的金模板相互对比。一个组金模板系统,从区域金模板中生成多个组金模板,以使得所述的晶片图象可以和多个组金模板中的金模板相互对比。 | ||
搜索关键词: | 图案 化晶圆 缺点 检测 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种检测半导体装置的方法,其特征在于,包括:(a)根据一个金模版层生成多个金模版,所述多个金模版中的每一个金模版包括单个基准图像,所述基准图像源自于在至少一个半导体晶圆上的至少一个区域内采集到的多个图像,其中,所述金模版层包括多个金模版的层次;(b)在所述金模版层中的第一层中选择第一金模版;(c)将一个晶片图像与所述金模版层中的第一层中的第一金模版进行比较;(d)确定所述晶片图像是否未通过与所述金模版层中的第一层中的第一金模版的对比;以及(e)如果所述晶片图像未通过与所述金模版层中的第一层中的第一金模版的对比,则将所述晶片图像与所述金模版层中的至少另一个金模版进行比较,其中,步骤(a)到(e)都是通过电脑进行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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