[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410143729.4 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104979210B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底的将要形成有源区的区域中的与半导体衬底之上将要形成的栅极结构相邻近的部分形成凹槽；在凹槽中填充隔离材料层；在半导体衬底上形成栅氧化物层；沉积栅材料层，覆盖栅氧化物层和隔离材料层；依次蚀刻栅材料层和栅氧化物层，在半导体衬底上形成栅极结构，其中，栅极结构中的栅材料层的宽度大于栅氧化物层的宽度；在栅极结构两侧的半导体衬底中依次形成轻掺杂源/漏区和重掺杂源/漏区；在栅极结构的顶部以及重掺杂源/漏区的上部的指定区域形成自对准硅化物。根据本发明，可以使最终形成的半导体器件具有更为稳定的静电防护特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的将要形成有源区的区域中的与所述半导体衬底之上将要形成的栅极结构相邻近的部分形成凹槽，所述部分位于所述有源区中的漏区，或者所述部分位于所述有源区中的漏区和源区；在所述凹槽中填充隔离材料层；在所述半导体衬底上形成栅氧化物层；沉积栅材料层，覆盖所述栅氧化物层和所述隔离材料层；依次蚀刻所述栅材料层和所述栅氧化物层，在所述半导体衬底上形成栅极结构，其中，所述栅极结构中的栅材料层的宽度大于栅氧化物层的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
