[发明专利]带有具有变化厚度的绝缘层的半导体器件

摘要

公开了一种带有具有变化厚度的绝缘层的半导体器件。提供了具有横向变化厚度的层、具有第一表面的衬底以及形成在所述衬底的所述第一表面上的绝缘层。在所述绝缘层中形成多个的凹槽和开孔中至少一个，其中，所述多个的凹槽和开孔中至少一个被以间距布置。凹槽和开孔中至少一个的每个具有横向宽度，其中，所述间距和所述横向宽度中的至少一个在横向方向上变化。所述多个的凹槽和开孔中至少一个限定所述绝缘层中的给定区域。在升高的温度下对具有所述多个的凹槽和开孔中至少一个的所述绝缘层进行回火，从而所述绝缘层至少部分地熔化，以至少在所述给定区域中提供具有横向变化厚度的所述绝缘层。

主权项

一种用于制造具有横向变化厚度的层的方法，所述方法包括：提供具有第一表面的衬底以及形成在所述衬底的所述第一表面上的绝缘层；在所述绝缘层中形成多个的凹槽和开孔中至少一个，所述多个的凹槽和开孔中至少一个被以间距（p）布置，并且凹槽和开孔中至少一个的每个具有横向宽度（w），其中所述间距（p）和所述横向宽度（w）中的至少一个在横向方向上变化，并且其中所述多个的凹槽和开孔中至少一个限定所述绝缘层中的给定区域；以及在升高的温度下对包括所述多个的凹槽和开孔中至少一个的所述绝缘层进行回火，从而所述绝缘层至少部分地熔化以至少在所述给定区域中提供具有横向变化厚度的所述绝缘层。