[发明专利]一种大晶粒取向硅钢的织构测量方法无效
| 申请号： | 201410145045.8 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103954638A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 周顺兵;王志奋;韩荣东;吴立新;陈士华;孙宜强;姚中海 | 申请（专利权）人： | 武汉钢铁（集团）公司 |
| 主分类号： | G01N23/203 | 分类号： | G01N23/203 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 王和平;陈懿 |
| 地址： | 430080 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大晶粒取向硅钢的织构测量方法，步骤如下：1）二次再结晶退火后，切取取向硅钢试样，标示出取向硅钢试样上的晶界线并编号；2）采用图像分析仪测量出照片中各晶粒的面积；3）采用电子背散射衍射方法测量出取向硅钢试样中每个晶粒的取向，计算出每个晶粒与理想的高斯晶粒之间存在的取向偏离角；4）将各晶粒的面积除以整个取向硅钢试样的面积作为每个晶粒的权重，再分别乘以该晶粒的取向偏离角，并定义为各晶粒的权重取向偏离角，最后将各晶粒的权重取向偏离角相加得到取向硅钢试样偏离角。本发明能够测得整个材料的织构信息，使测量结果与材料的性能之间可以建立正确的对应关系，可以广泛应用于多晶体织构的测量和分析领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 取向 硅钢 测量方法 | ||
【主权项】：
一种大晶粒取向硅钢的织构测量方法，其特征在于：包括如下步骤：1）二次再结晶退火后，切取一定大小的取向硅钢试样（1），标示出取向硅钢试样（1）上的晶界线，并将各个晶粒编号；2）将取向硅钢试样（1）拍摄成照片，采用图像分析仪测量出照片中各晶粒的面积Si晶粒，其中，Si晶粒表示第i个晶粒的面积；3）采用电子背散射衍射方法测量出取向硅钢试样（1）中每个晶粒的取向（hkl）［UVW］，计算出每个晶粒与理想的高斯晶粒之间存在的取向偏离角；4）将图像分析仪测量的各晶粒的面积Si晶粒除以整个取向硅钢试样（1）的面积S试样所得值作为每个晶粒的权重Wi即Wi=Si晶粒/S试样，再分别乘以该晶粒的取向偏离角，并将所得的值定义为各晶粒的权重取向偏离角，最后将各晶粒的权重取向偏离角相加得到取向硅钢试样偏离角，完成测量过程。
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