[发明专利]纳米线器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410145605.X | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104979211B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/775;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种纳米线器件及其制造方法，其中，纳米线器件的制造方法包括在衬底上悬置的纳米线表面形成第一绝缘层；在衬底上沉积伪栅材料并图案化伪栅材料，形成伪栅结构和被伪栅结构全包围的沟道区，其中的伪栅结构包括伪栅、和伪栅与沟道区之间的第一绝缘层；氧化伪栅，在伪栅的两侧表面形成第一氧化层；以及分别对沟道区的两侧进行纳米线外延至支撑垫，形成源区和漏区。基于本发明实施例得到的纳米线器件中，具有纳米线以上的栅极轮廓和纳米线以下的栅极轮廓一致的栅极轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上悬置的纳米线表面形成第一绝缘层；所述衬底包括两个支撑垫和两个支撑垫之间的凹槽，两个支撑垫上分别具有第二绝缘层，凹槽的底面上具有第三绝缘层，在所述凹槽的上方通过两个支撑垫悬置有至少一根纳米线；在所述衬底上沉积伪栅材料并图案化所述伪栅材料，形成伪栅结构和被所述伪栅结构全包围的沟道区，所述伪栅结构包括伪栅、和伪栅与沟道区之间的第一绝缘层；氧化伪栅，在伪栅的两侧表面形成第一氧化层；以及分别对沟道区的两侧进行纳米线外延至支撑垫，形成源区和漏区；其中，在图案化所述伪栅材料的步骤中，所述纳米线除所述沟道区以外的区域、包围该区域的第一绝缘层、以及包围该区域的伪栅材料被去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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