[发明专利]一种垂直碳纳米管阵列向金属衬底转移的方法在审
| 申请号： | 201410145640.1 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103928358A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 宋晓辉;赵兰普;张萍;梁楠;庄春生;宋超;王其富 | 申请（专利权）人： | 河南省科学院应用物理研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450008 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直碳纳米管阵列向金属基底转移的方法，首先在基于化学气相沉积方法制备的垂直定向碳纳米管阵列端部溅射纳米金属颗粒，之后与转移目标金属衬底进行对准，施加一定压力，再利用局部感应加热的方法实现碳纳米管与金属衬底的键合，最后将生长碳纳米管的衬底剥离，即实现垂直碳纳米管阵列向金属衬底的转移。本发明提供的垂直碳纳米管阵列向金属衬底的转移方法，操作简单，局部非接触的加热方式对器件损伤较小，而且适合大面积的碳纳米管薄膜转移，在碳纳米管器件和电子封装热界面材料领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 纳米 阵列 金属 衬底 转移 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直碳纳米管阵列向金属衬底转移的方法，其特征是在基于化学气相沉积方法制备的垂直定向碳纳米管阵列端部溅射纳米金属颗粒，然后与转移目标金属衬底进行对准，施加一定压力，再利用局部感应加热的方法实现碳纳米管与金属衬底的键合，最后将生长碳纳米管的衬底剥离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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