[发明专利]一种垂直碳纳米管阵列与金属基底键合的方法

摘要

本发明提供了一种垂直碳纳米管阵列与金属基底键合的方法，首先通过化学气相沉积方法制备垂直定向碳纳米管阵列，然后利用溅射方法在垂直碳纳米管阵列端部沉积纳米金属颗粒，之后用电化学沉积的方法在金属基底制备纳米针锥结构，最后在一定温度和压力条件下，实现碳纳米管阵列与金属基底的热压固态键合。本发明提供的垂直碳纳米管阵列与金属基底的键合方法，与微电子制造工艺兼容，操作简单，纳米中间层的原子互扩散降低了键合温度和压力，在微纳机电系统制造和三维封装领域具有广泛应用前景。

主权项

 一种垂直碳纳米管阵列与金属基底键合的方法，其特征是通过化学气相沉积方法制备垂直定向碳纳米管阵列，然后利用溅射的方法在阵列端部制备纳米金属颗粒，利用电化学沉积的方法在金属基底表面制备纳米金属针锥结构，将纳米金属颗粒和纳米金属针锥结构作为键合层，实施热压键合。