[发明专利]一种40nm以下尺寸的器件的化学机械平坦化的工艺方法有效
| 申请号： | 201410146689.9 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104979277B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;卢一泓;张月;崔虎山;赵超;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;张应 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械平坦化的工艺方法，包括步骤：采用原子层沉积的方法填充金属钨；进行第一去除工艺和第二去除工艺，以实现金属钨的化学机械平坦化，其中，第二去除工艺中的压力和转速分别小于第一去除工艺中的压力和转速。采用两步去除工艺进行金属钨的化学机械平坦化，后一步去除工艺中压力和转速都有所减小，这样，在第二去除工艺中减小研磨过程中的机械作用，从而，可以降低金属栅顶部的金属损失，提高器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 平坦 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种40nm以下尺寸的器件的化学机械平坦化的工艺方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上沉积衬垫层，并在衬垫层上沉积伪栅极；刻蚀图案化衬垫层和伪栅极，以形成伪栅结构；去除伪栅极以形成栅沟槽；依次沉积替代的栅极介质层和金属功函数层；采用原子层沉积的方法填充金属钨；进行第一去除工艺和第二去除工艺，以实现金属钨的化学机械平坦化，其中，第二去除工艺中的压力和转速分别小于第一去除工艺中的压力和转速；第二去除工艺中抛光液双氧水的浓度小于第一去除工艺中抛光液双氧水的浓度，第二去除工艺中抛光液与去离子水的体积比小于第一去除工艺中抛光液与去离子水的体积比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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