[发明专利]真空处理装置及基板处理方法

摘要

本发明提供一种真空处理装置（1），其串联连接多个对于被处理基板（S）进行规定处理的处理室，其中，在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路（15）、和相对于第一基板输送路（15）并排设置且输送基板并同时进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路（16），并且，在多个处理室中至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路间使基板移动的输送路变更构件（17）。

主权项

一种成膜方法，其使用真空成膜装置在各成膜室中对基板进行成膜，所述真空成膜装置串联连接多个对基板进行成膜的成膜室，且设有遍及多个成膜室间设置的第一基板输送路、和相对于第一基板输送路并排设置且在输送所述基板的同时对各成膜室内的基板进行成膜的第二基板输送路，并且，在所述多个成膜室中的至少两个成膜室中设置有用于使基板在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动的输送路变更构件，该成膜方法的特征在于，包括如下工序：基板（S3）在第一成膜室已经成膜第一膜，成为设于第二基板输送路的第二成膜室的成膜位置并成膜第二膜的状态；基板（S2）在第一成膜室已经成膜第一膜且在第二成膜室成膜第二膜之后，成为设于第二基板输送路的第一成膜室的成膜位置并成膜第三膜的状态；基板（S1）经由第一基板输送路从负荷锁定室被输送到加热室，在加热室中被加热并保持；当基板（S1）的加热和对于基板（S2）的第三膜的成膜结束时，使加热室和第一成膜室之间的门阀开放，基板（S2）向加热室被搬入，且基板（S1）向第一成膜室被搬入；其次，基板（S2）被成膜至第一膜～第三膜，因此，从加热室直接向负荷锁定室搬出；基板（S1）通过路径变更构件从第一基板输送路向第二基板输送路移动，设置在成膜位置；设于成膜位置的基板（S1）开始第一膜的成膜；当在基板（S1）的成膜中，对于第二膜的成膜中的基板（S3）的成膜结束时，基板（S3）通过路径变更构件从第二基板输送路的成膜位置向第一基板输送路移动；当基板（S1）的成膜结束时，使第二成膜室和第一成膜室之间的门阀开放，基板（S3）经由第一基板输送路被搬入第一成膜室，且基板（S1）经由第二基板输送路被搬入第二成膜室；之后，将基板（S1）设于第二成膜室的成膜位置，开始成膜；基板（S3）通过路径变更构件从第一基板输送路向第二基板输送路移动，设置在成膜位置，在第一成膜室中在基板（S3）上开始第三膜的成膜；在对于该基板（S3）的第三膜的成膜中，基板（S4）从负荷锁定室经由第一基板输送路被输送到加热室；当基板（S4）的加热和对于基板（S3）的第三膜的成膜结束时，使加热室和第一成膜室之间的门阀开放，基板（S3）经由第二基板输送路向加热室被搬出，且基板（S4）经由第一基板输送路被搬入第一成膜室；基板（S3）成膜至第一膜～第三膜，因此，从加热室被直接向负荷锁定室搬出；基板（S4）通过路径变更构件从第一基板输送路向第二基板输送路移动，设于成膜位置，开始对于基板（S4）的第一膜的成膜；在对于基板（S1）的第二膜的成膜结束时，通过路径变更构件将基板（S1）从第二基板输送路的成膜位置向第一基板输送路移动；之后，当结束对于基板（S4）的成膜时，使第二成膜室和第一成膜室之间的门阀开放，基板（S4）经由第二基板输送路被搬入第二成膜室，且基板（S1）经由第一基板输送路被搬入第一成膜室；基板（S1）通过路径变更构件在第一成膜室中从第一基板输送路向第二基板输送路移动，设置在成膜位置，开始第三膜的成膜；基板（S4）设置在第二成膜室的成膜位置，开始成膜；在对于基板（S1）的第三膜的成膜中，从负荷锁定室经由第一基板输送路将基板（S5）输送到加热室；当基板（S5）的加热和对于基板（S1）的第三膜的成膜结束时，使加热室和第一成膜室之间的门阀开放，基板（S1）经由第二基板输送路向加热室被搬出，且基板（S5）经由第一基板输送路被搬入第一成膜室；基板（S5）通过路径变更构件从第一基板输送路向第二基板输送路移动；之后，基板（S1）成膜至第一膜～第三膜，因此，从加热室被直接向负荷锁定室搬出。