[发明专利]显示装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410147079.0 申请日: 2009-09-28
公开(公告)号: CN103928476A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 山崎舜平;秋元健吾;梅崎敦司 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;G09G3/36
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 汤春龙
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明名称为显示装置及其制造方法。随着显示装置的高精细化,像素数、栅极线数及信号线数增加。当栅极线数及信号线数增加时,有如下问题:不容易通过键合等安装具有用来驱动它们的驱动电路的IC芯片,因此制造成本增高。在同一衬底上包括像素部、驱动像素部的驱动电路,将使用氧化物半导体的薄膜晶体管用于像素部,再者驱动电路的至少一部分的电路也由使用氧化物半导体的薄膜晶体管构成。通过在同一衬底上除了像素部之外还设置驱动电路,减少制造成本。
搜索关键词: 显示装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种显示装置,包括:包括具有第一氧化物半导体层的第一晶体管的像素部;以及驱动电路,其包括:第二晶体管,其具有:第一栅电极;第一栅电极上的栅极绝缘层;以及栅极绝缘层上的第二氧化物半导体层;第三晶体管,其具有:第二栅电极;第二栅电极上的栅极绝缘层;栅极绝缘层上的第三氧化物半导体层;以及在栅极绝缘层中的接触孔,经接触孔直接连接到第二栅电极的第一布线;与第一栅电极和第二栅电极两者重叠的第二布线,其中所述栅极绝缘层在其间插入,以及第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层上的绝缘层,其中,第二布线与第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层直接接触,以及其中,绝缘层是氧化硅膜和氮化硅膜的叠层。
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