[发明专利]一种大规模制备低表面应力的表面具备微纳结构的钨的方法

摘要

一种大规模制备低表面应力的表面具备微纳结构的钨的方法，属于微纳加工技术领域。在经电解抛光的金属钨的表面通过纳米压印的方法制备微纳结构刻蚀掩膜，使得需要刻饰的部分裸露，其他部分则被掩膜；将处理后的金属钨用ICP刻蚀的方法对微纳结构掩膜后金属钨的表面进行刻蚀，使得微纳结构刻蚀掩膜中的裸露的钨表面被刻饰掉；将处理后的金属钨放在真空中进行退火，即可得到低表面应力的表面具备微纳结构的金属钨。

主权项

一种大规模制备具备微纳结构的钨的面向等离子体材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在经电解抛光的金属钨的表面通过纳米压印的方法制备微纳结构刻蚀掩膜，使得需要刻蚀的部分裸露，其他部分则被掩膜；(2)将步骤(1)处理后的金属钨用ICP刻蚀的方法对微纳结构掩膜后金属钨的表面进行刻蚀，使得微纳结构刻蚀掩膜中的裸露的钨表面被刻蚀掉；刻蚀气体采用SF6+Ar+O2的组合作为刻蚀气体，其中，SF6的比例在20％～100％，O2的比例不超过75％，Ar的比例不超过10％，气体的总流量为20～150sccm；刻蚀时腔体气压10‑2Pa～5Pa；(3)将步骤(2)处理后的金属钨放在真空中进行退火，即可得到低表面应力的表面具备微纳结构的金属钨；真空退火的温度为1000～2100℃；退火时腔体气压不超过0.5Pa；步骤(1)中，所述的纳米压印的方法中，掩膜选用紫外压印光刻胶掩膜SUN‑125PSS，掩膜的厚度在5μm以上；步骤(2)中，ICP刻蚀的的线圈功率≥150W，基板自偏置功率≤100W，下电极托板温度≤10℃。