[发明专利]半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410147977.6 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104112803A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 项若飞;汪连山;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;张恒;冯玉霞;焦春美;魏鸿源;杨少延;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/18;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半极性面氮化镓基发光二极管，包括： 一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形； 一氮化铝缓冲层，其沉积在凸起图形之间的间隔区内，该氮化铝缓冲层的厚度小于衬底表面的凸起图形的高度； 一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸； 一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上； 一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上； 一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上； 一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上； 一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。
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