[发明专利]一种氟硼共掺杂TiO2纳米片的制备方法及用途无效
申请号: | 201410148287.2 | 申请日: | 2014-04-14 |
公开(公告)号: | CN103878001A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 许海峰;李鸿;曹保银 | 申请(专利权)人: | 宿州学院 |
主分类号: | B01J27/135 | 分类号: | B01J27/135;C02F1/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 234000 安徽省宿*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及纳米材料与纳米技术领域,具体是涉及一种氟硼共掺杂TiO2纳米片、制备方法及用途。氟硼共掺杂TiO2纳米片,为锐钛矿相结构,氟和硼掺入晶格中,且暴露的晶面为(001)晶面,其呈片状形貌,纳米片的厚度为1~100nm,构筑单元纳米片的边缘呈圆滑过渡。与纯锐钛矿相TiO2纳米颗粒相比,本发明的氟硼共掺杂、(001)晶面暴露的TiO2纳米片,对可见光的吸收率明显提高,且具有明显的红移现象,提高了光生电子-空穴的迁移效率,且(001)高活性晶面的大量暴露,从而使其光催化性能得到了显著增强。氟硼共掺杂TiO2纳米片可在光催化环境治理方面具有很好的应用前景,例如作为光催化剂用于水的净化等。 | ||
搜索关键词: | 一种 氟硼共 掺杂 tio sub 纳米 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
一种氟硼共掺杂TiO2纳米片,为锐钛矿相结构,氟和硼掺入晶格中,且暴露的晶面为(001)晶面,其呈片状形貌,纳米片的厚度为1~100nm,构筑单元纳米片的边缘呈圆滑过渡。
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