[发明专利]等离子体辅助的外延生长装置及方法在审
| 申请号： | 201410148920.8 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103938272A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;王健;郝智彪;汪莱 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/14 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于等离子体辅助的外延生长装置及方法，该装置包括：真空反应室；样品台；等离子体激发单元，位于真空反应室的顶部；第一进气口，用于向真空反应室通入第一气态反应源；第二进气口，用于向真空反应室通入第二气态反应源；气流调节兼离子控制装置，位于第一进气口和样品台之间，包括相互隔离的第一气体通道群和第二气体通道群，第一气体通道群用于控制的第一气态反应源的流场，第二气体通道群用于控制第二气态反应源的流场，其中，等离子体激发单元用于激发第一气态反应源电离分解，样品台可加热将第二气态反应源热裂解。本发明实施例的等离子体辅助的外延生长装置及方法，具有生长温度低、适用于多种氮化物半导体生长的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 辅助 外延 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基于等离子体辅助的外延生长装置，其特征在于，包括：真空反应室；样品台，所述样品台位于真空反应室的底部；等离子体激发单元，所述等离子体激发单元位于所述真空反应室的顶部；第一进气口，用于向所述真空反应室通入第一气态反应源；第二进气口，用于向所述真空反应室通入第二气态反应源；气流调节兼离子控制装置，位于所述第一进气口和所述样品台之间，用于调节通入所述真空反应室的气态反应源的流场及等离子体分布，包括相互隔离的第一气体通道群和第二气体通道群，所述第一气体通道群用于控制所述第一气态反应源的流场，所述第二气体通道群用于控制所述第二气态反应源的流场，其中，所述等离子体激发单元用于激发第一气态反应源电离分解，所述样品台可加热将所述第二气态反应源热裂解。
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