[发明专利]NOR型闪存存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种NOR型闪存存储器及其制造方法，其包括设置在基底上的存储单元。存储单元，包括：堆叠栅极结构、辅助栅极、辅助栅极介电层、淡掺杂区、漏极区。堆叠栅极结构设置在基底上。辅助栅极设置在堆叠栅极结构的第一侧的基底上。辅助栅极介电层设置在辅助栅极与基底之间。淡掺杂区设置在辅助栅极下方的基底中，其中通过在辅助栅极施加一电压而在辅助栅极下方的基底中形成反转层以作为源极区。漏极区，设置在堆叠栅极结构的第二侧的基底中，第一侧与第二侧相对。

主权项

1.一种NOR型闪存存储器，包括：第一存储单元，设置在一基底上，该第一存储单元包括：堆叠栅极结构，设置在该基底上；辅助栅极，设置在该堆叠栅极结构的一第一侧的该基底上；辅助栅极介电层，设置在该辅助栅极与该基底之间；淡掺杂区，仅设置在两个堆叠栅极结构之间的辅助栅极下方的该基底中，其中通过在该辅助栅极施加一电压而在该辅助栅极下方的基底中形成一反转层以作为一源极区，其中，在辅助栅极下方的基底中不具有元件隔离结构，且淡掺杂区是连续的条状；以及漏极区，设置在该堆叠栅极结构的一第二侧的该基底中，该第一侧与该第二侧相对。