[发明专利]半导体装置的生产方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的生产方法，其能够减少PCM等监控芯片区域所引起的不良。该包括：第一工序，在半导体衬底晶片的一侧主面被划分为网格状的区域内的各个衬底表层形成具有所需活性区域和环绕该活性区域的边缘区域的器件芯片区域、以及在中央具备感测区域的工艺流程管理用监控芯片区域；第二工序，在芯片区域的表面上形成所需图案的金属膜之后，在器件芯片区域与监控芯片区域的各个表面上形成保护膜；第三工序，对半导体衬底晶片的另一侧主面进行抛光研磨而使半导体衬底晶片变薄，其中，将监控芯片区域的1个芯片内的保护膜的占有面积与器件芯片区域的1个芯片内的保护膜的占有面积之差设定为20%以下。

主权项

1.一种半导体装置的生产方法，其特征在于，包括：第一工序，在半导体衬底晶片的一侧主面被划分为网格状的区域内的各个衬底表层形成器件芯片区域和工艺流程管理用的监控芯片区域，所述器件芯片区域具有所需的活性区域和环绕该活性区域的边缘区域，所述监控芯片区域在其中央具备感测区域；第二工序，在所述器件芯片区域以及所述监控芯片区域的表面上通过蒸镀和光刻形成具有所需图案的金属膜之后，在所述器件芯片区域与所述监控芯片区域的各自的表面上形成保护膜；第三工序，对所述半导体衬底晶片的另一侧主面进行抛光研磨而使所述半导体衬底晶片变薄，其中，将所述监控芯片区域的所述保护膜在1个芯片内的占有面积的比率与所述器件芯片区域的所述保护膜在1个芯片内的占有面积的比率之差设定为20％以下。