[发明专利]双层传片腔体在审
申请号: | 201410151230.8 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN103928378A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 吴凤丽;姜崴;方仕彩 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;C23C16/44 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 双层传片腔体,主要解决现有技术为了实现上下两层传片的功能而使设备整体维护复杂,增加设备使用成本的问题,而设计了一种能够实现双层多腔室的独立传片组合腔体。所述的双层多腔室中的上层和下层腔体分别为独立密闭腔室,每层腔体都可以独立进行传片操作,彼此间不相互影响。每层腔体内部都有两个相互联通的腔室,每个腔室同样可以进行晶圆传片、取片独立操作,彼此间的操作也是互不影响。具有结构合理,设备整体维护相对容易,能够降低设备使用成本的特点。可广泛应用于半导体薄膜沉积应用及制备技术领域。 | ||
搜索关键词: | 双层 传片腔体 | ||
【主权项】:
一种双层独立腔体,包括真空测量组件B(13)、平衡大气的阀体A(5)及抽气管路(7),其特征在于:它还包括上层腔体(1)、定位销(2)、下层腔体(3)、腔室A(4)、腔室B(9)、腔室C(10)及腔室D(14)、抽气管路(7)、真空测量组件A(6)和真空测量组件B(13)及平衡大气的阀体A(5)、阀体B(8)、阀体C(11)和阀体D(12),上述双层传片腔体,腔体是以上层腔体(1)和下层腔体(3)的形式组合而成,并通过销钉(2)固定,双层腔体各自具有独立的抽气管路(7)和真空测量组件A(6)和真空测量组件B(13),上述腔体具有两个相互联通的腔室,上层腔体是由腔室C(10)和腔室D(14)组成;下层腔体是由腔室A(4)和腔室B(9)组成,且每个腔室都分别设有平衡大气的阀体A(5)、阀体B(8)、阀体C(11)和阀体D(12),腔室间可以独立实现晶圆传进、传出,彼此不产生影响。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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