[发明专利]存储器元件的形成方法有效
| 申请号： | 201410151323.0 | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN105024010B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 林孟弘;吴伯伦 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器元件的形成方法，包括在一第一电极上形成一电阻转换层；在该电阻转换层上形成一第二电极；对该电阻转换层提供一形成电压使该电阻转换层的电阻变小；在提供该形成电压后，对该电阻转换层提供一初始重置电压使该电阻转换层的电阻变大；在提供该初始重置电压后，对该电阻转换层提供一第一设定电压，使该电阻转换层的电阻变小；在提供该第一设定电压后，对该电阻转换层提供一第二重置电压，使该电阻转换层的电阻变大；以及在提供该第二重置电压后，对该电阻转换层提供一第二设定电压，使该电阻转换层的电阻变小，其中，该第二设定电压小于该第一设定电压。本发明提高了电阻式非易失性存储器的合格率与效率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器元件的形成方法，其特征在于，包括：在一第一电极上形成一电阻转换层；在该电阻转换层上形成一第二电极；对该电阻转换层提供一形成电压使该电阻转换层的电阻变小；在提供该形成电压后，对该电阻转换层提供一初始重置电压使该电阻转换层的电阻变大；在提供该初始重置电压后，对该电阻转换层提供一第一设定电压，使该电阻转换层的电阻变小；在提供该第一设定电压后，对该电阻转换层提供一第二重置电压，使该电阻转换层的电阻变大；以及在提供该第二重置电压之后，对该电阻转换层提供一第二设定电压，使该电阻转换层的电阻变小，其中，该第二设定电压小于该第一设定电压。
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