[发明专利]具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及其制备方法

摘要

具有贵金属掺杂的TiO₂/TiO₂同质结构紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由石英衬底、贵金属掺杂的TiO₂薄膜层、纯TiO₂薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：探测器具有贵金属掺杂的TiO₂薄膜层和纯TiO₂薄膜层组成的同质结构。一方面通过贵金属的掺杂，基体材料具有更低的费米能级，降低了金属电极和基体材料接触的势垒高度；另一方面，贵金属掺杂的TiO₂薄膜层与TiO₂层形成的同质结构的内建电场方向与器件本身金半接触的内建电场方向相反，同样也降低了势垒高度。最终从材料的掺杂改性和器件结构两方面有效改善了紫外探测器的光响应特性。

主权项

一种具有贵金属掺杂的TiO₂/TiO₂同质结构的紫外探测器，其特征在于：依次由衬底、贵金属掺杂的TiO₂薄膜层、纯TiO₂薄膜层、金属叉指电极组成，其中，贵金属掺杂的TiO₂薄膜层中贵金属掺杂的摩尔浓度为0.008～0.04mol/L。