[发明专利]一种逆导型双栅绝缘栅双极型晶体管

摘要

本发明提供能够改善逆导型绝缘栅双极型晶体管电流回跳现象，并且提高关断速率，改善耐压的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区包含对角设置的第一N型漂移区与第一P型漂移区，以及对角设置的第二N型漂移区与第二P型漂移区；在第一N型漂移区和第二P型漂移区内设有P型体区，在P型体区内设有N型发射极区和P型集电极区，以及用于连接两者的阴极金属，且在P型体区的上表面上设有阴极栅氧化层及阴极多晶硅层；在第一P型漂移区与第二N型漂移区内设有N型体区，在N型体区内设有N型集电极区和P型发射极区，以及用于连接两者的阳极金属，且在N型体区的上表面上设有阳极栅氧化层及阳极多晶硅层。

主权项

一种逆导型双栅绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底（1）和场氧层（19），在P型衬底（1）上设有埋氧（2），在埋氧（2）上设有漂移区，其特征在于，所述漂移区包括第一N型漂移区（3）、第一P型漂移区（4）、第二N型漂移区（17）及第二P型漂移区（18），所述第一N型漂移区（3）与第一P型漂移区（4）对角设置，所述第二N型漂移区（17）与第二P型漂移区（18）对角设置，在第一N型漂移区（3）和第二P型漂移区（18）内设有P型体区（5），在P型体区（5）内设有重掺杂的N型发射极区（6）和重掺杂的P型集电极区（7），并且，重掺杂的N型发射极区（6）位于第一N型漂移区（3）的上方，重掺杂的P型集电极区（7）位于第二P型漂移区（18）的上方，在重掺杂的N型发射极区（6）和重掺杂的P型集电极区（7）上设有用于连接重掺杂的N型发射极区（6）和重掺杂的P型集电极区（7）的阴极金属（15），在P型体区（5）的上表面上设有阴极栅氧化层（11）且阴极栅氧化层（11）位于第一N型漂移区（3）的上方，阴极栅氧化层（11）向外延伸且边界分别落在重掺杂的N型发射极区（6）、重掺杂的P型集电极区（7）、P型体区（5）及第一N型漂移区（3）上，在阴极栅氧化层（11）上设有阴极多晶硅层（13），在所述阴极栅氧化层（11）与阴极金属（15）之间留有间隙，在第一P型漂移区（4）与第二N型漂移区（17）内设有N型体区（8），在N型体区（8）内设有重掺杂的N型集电极区（9）和重掺杂的P型发射极区（10），并且，重掺杂的N型集电极区（9）位于第二N型漂移区（17）的上方，重掺杂的P型发射极区（10）位于第一P型漂移区（4）的上方，在重掺杂的N型集电极区（9）和重掺杂的P型发射极区（10）上设有用于连接重掺杂的N型集电极区（9）和重掺杂的P型发射极区（10）的阳极金属（16），在N型体区（8）的上表面上设有阳极栅氧化层（12）且阳极栅氧化层（12）位于第一P型漂移区（4）的上方，阳极栅氧化层（12）向外延伸且边界分别落在重掺杂的P型发射极区（10）、重掺杂的N型集电极区（9）、N型体区（8）及第一P型漂移区（4）上，在阳极栅氧化层（12）上设有阳极多晶硅层（14），在所述阳极栅氧化层（12）与阳极金属（16）之间留有间隙，所述场氧层（19）覆盖在重掺杂的N型发射极区（6）、阴极多晶硅层（13）、重掺杂的P型集电极区（7）、P型体区（5）、第二P型漂移区（18）、第一N型漂移区（3）、第一P型漂移区（4）、第二N型漂移区（17）、N型体区（8）、重掺杂的N型集电极区（9）、重掺杂的P型发射极区（10）及阳极多晶硅层（14）上，在阴极多晶硅层（13）及阳极多晶硅层（14）上分别连接有阴极栅金属电极（20）和阳极栅金属电极（21）。