[发明专利]双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管无效

专利信息
申请号: 201410152021.5 申请日: 2014-04-16
公开(公告)号: CN103956377A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 李思敏 申请(专利权)人: 李思敏
主分类号: H01L29/10 分类号: H01L29/10;H01L29/73;H01L29/06
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 张卫华
地址: 100011 北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管,在其下层为N+型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型的高掺杂浓度的发射区,该发射区的上面连接着N+型的掺杂多晶硅层,其特点是:所述硅衬底片的N型高电阻率层分为上下两层,N型高电阻率层的上层的电阻率高于N型高电阻率层的下层的电阻率;下层的电阻率为2-9Ω·cm;下层的厚度为13-40μm。本发明的优点是:能用较小管芯做较高的功率,抗冲击能力强,具有高性价比和高可靠性的功效。
搜索关键词: 双高阻层槽形栅 多晶 结构 晶体管
【主权项】:
一种双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管,在其下层为N+型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型的高掺杂浓度的发射区,该发射区的上面连接着N+型的掺杂多晶硅层,该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接,每个发射区的周围有P型的基区,基区的侧下面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P+型的槽形栅区,槽形栅区中的每条槽的底面和侧面都覆盖着绝缘层,栅区与栅极金属层相连,硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区,硅衬底片的下层是集电极,集电极的下表面与集电极金属层相连,其特征在于:所述硅衬底片的N型高电阻率层分为上下两层,N型高电阻率层的上层的电阻率高于N型高电阻率层的下层的电阻率;所述硅衬底片的N型高电阻率层的下层的电阻率为2‑9Ω·cm;所述硅衬底片的N型高电阻率层的下层的厚度为13‑40μm。
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