[发明专利]一种高纯钴靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201410152954.4 | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103898459A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 邵玲;王广欣;赵学义 | 申请（专利权）人： | 昆山海普电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/10 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;汪青 |
| 地址： | 215311 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高纯钴靶材的制备方法，包括依次进行的如下步骤：将纯度为99.999%以上的高纯钴锭进行径向锻造和退火处理；将处理后高纯钴锭截成短节，对短节进行纵向墩粗和退火处理；将处理后的高纯钴锻件进行多次压延和退火处理得到钴钯坯；将钴钯坯进行机械加工，然后通过低熔点焊料与铜背板粘接在一起，即得高纯钴靶材。本发明获得了内部致密、微观组织均匀的钴锻件，克服了钴靶材由于质地坚硬易碎，在之后压延过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。压延和退火处理可以提高钴靶材的磁透率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 钴靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯钴靶材的制备方法，其特征在于：包括依次进行的如下步骤：（1）、将纯度为99.999%以上的高纯钴锭进行径向锻造和退火处理，其中，径向锻造锻比大于等于2；（2）、将经步骤（1）处理后高纯钴锭截成短节，对所述的短节进行纵向墩粗和退火处理，其中，纵向墩粗的高度方向变形量大于60%；（3）、将经步骤（2）处理后的高纯钴锭进行多次压延和退火处理得到钴钯坯，其中，每次进行所述的压延前对所述的高纯钴锭在300℃~340℃下进行预热处理50~70分钟；压延的厚度方向变形量大于等于60%；所述的退火处理为缓慢升温到300~400℃，保温50~70分钟，然后自然冷却到15℃~40℃；（4）、将所述的钴钯坯进行机械加工，然后通过低熔点焊料与铜背板粘接在一起，即得所述的高纯钴靶材。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山海普电子材料有限公司，未经昆山海普电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410152954.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种CdSxSey光电材料的制备方法
- 下一篇：纵剪机隔离切纸刀装置
- 同类专利
- 专利分类
